Полупроводники и оптоэлектроника
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光学冷加工领域
新材料研发领域
技术应用报告
磷化铟单晶片抛光工艺研究，其抛光片的表面质量对后续的外延及器件性能有着重要的影响
来源：电子工艺技术 磷化铟晶体材料具有高的电场漂移速度、良好的热导特性和较强的抗辐射能力等优点，适合于制造高频、高速和低功耗微波器件和电路，在光纤通讯领域，磷化铟也是首选的通讯材料，其中半绝缘磷化铟衬底主要应用于光电集成电路（OEIC）、高电...
蓝宝石晶片加工中的技术关键-抛光工艺
来源：人工晶体学报 目前，蓝宝石抛光行业主流采用的仍是纳米二氧化硅作为抛光液，最后得到抛光表面的粗糙度（Ｒa，原子力显微镜测试）均在0.3nm以下。在抛光过程中，二氧化硅抛光液与蓝宝石表面的反应如下式所示，产物是硅酸铝的二水化合物。Al2O3+2SiO2...
铌酸锂晶体的研磨损伤层研究
来源：万方数据提高研磨抛光的加工效率是人们普遍关注的问题。由于研磨抛光的加工时间很长，单位时间的去除 量很小，前工序的表面粗糙度对后工序的加工余量的影响很大。在这种情况下，单一工序的高效率并不能保证整个加工过程的总体上的高效率。本文提出了一种...
半导体材料的抛光方法、用于锑化镓衬底抛光的抛光液
本文内容摘取于苏州焜原光电有限公司，发明专利申请文件。(54)发明名称半导体材料的抛光方法、用于锑化镓衬底抛光的抛光液(57)摘要本发明是针对采用现有技术CMP工艺对锑化镓等较软的半导体材料抛光时抛光磨料、抛光液中含有的金属离子等易附着在被抛光物的...
金刚石RA抛光到0.5nm，TTV±1um需要什么工艺和设备
将金刚石（RA）抛光到表面粗糙度0.5nm，并确保其总厚度变化（TTV）控制在±1um以内，需要高度精密的工艺和专用设备。以下是实现这一目标的工艺和设备概述：### 工艺步骤1.准备工作：将金刚石样品固定在抛光夹具上，确保样品表面平整且与抛光垫接触良好。...
TSV硅通孔工艺研磨过程中怎么保证两种材料去除效率的一致性的
在TSV（Through-Silicon Via，硅通孔）通孔工艺的研磨过程中，保证两种材料（如硅基底和覆盖层材料）的去除效率一致，是确保最终产品质量和工艺稳定性的关键环节。以下是一些实现这一目标的方法和策略：1. 精确控制研磨参数 研磨压力与速度：通过精确调...
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