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适用CMP化学机械抛光头、晶圆研磨盘、光学模具基底、精密轴承端面和 半导体真空吸附平台等
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采用光学干涉技术,实现材料平面度测量
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支持快速无损检测
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快速、简单、精确、可重复性高
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干涉条纹图像定性分析、实时干涉条纹影像
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掠入射干涉技术达到纵向分辨率10nm,动态测量范围100μm
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大视场一次性干涉成像:150mm全口径测量仅需数秒