Установка шлифовки и полировки GNAD-E
Установка шлифовки и полировки GNAD-T
Установка шлифовки и полировки GNAD-P
CPI - установка для химико-динамической полировки
Шлифовально-полировальное оборудование для обработки нескольких пластин
Высокоточное двухстороннее шлифовально-полировальное оборудование
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氧化硅内嵌铜柱晶圆研磨抛光解决方案
客户样品初始状态：
材料：硅基表面复杂结构（氧化硅内嵌铜及面覆铜）；尺寸：100mm*100mm；形状：方形；厚度：600um；粗糙度：铜与氧化硅表面大马士革形貌；TTV：3um
加工后指标要求：
化学机械抛光，氧化硅粗糙度Ra≤0.5nm，铜粗糙度Ra≤1.5nm，抛光后TTV≤3um，铜与氧化硅层厚差≤20nm
工艺解析：
Step1覆铜面抛阶段：使用我司CDP系列化学机械抛光设备，配备订制抛头吸附装置，抛头面压1.5-3.2Psi，抛头转速60–90 rpm，抛光盘转速80-110rpm，以A21专用抛光液为抛光浆料进行化学机械抛光
Step2复合结构抛光阶段：以Step1为基础，更换Z4U抛光液为抛光浆料，最终达到氧化硅层与铜层的同步抛光
案例配套主机与耗材：CDP系列化学机械抛光设备，订制抛光吸附装置，聚氨酯硬质抛光垫
客户反馈：解决了氧化硅与铜之间的层厚差问题，高于原始诉求指标。
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