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中国科学院上海硅酸盐研究所

硅酸盐晶圆研磨抛光解决方案

客户样品初始状态:

材料:硅酸盐晶圆;尺寸:6寸;形状:圆形;厚度:1000um;粗糙度:650nm;TTV:40um


加工后指标要求:

厚度:300±5um;粗糙度:≤2nm;TTV:≤8um;无划痕及损伤


工艺解析:

Step1粗磨阶段:使用我司GNAD-E系列磨抛一体机,配备刻槽铸铁研磨盘,研磨压力40–80g/cm²,转速25–50 rpm,以金刚石研磨液(粒径5–20μm)为研磨浆料,进行厚度快速去除

Step2细磨阶段:以Step1为基础,更换金刚石研磨液(粒径1–5μm)为研磨浆料,对损伤层及压损伤层的层厚进行缩减

Step3粗抛阶段:使用我司GNAD-E系列磨抛一体机,配备不锈钢抛光盘结合硬质发泡聚氨酯抛光垫,采用氧化铝研磨液(粒径1-3um),压力至30-60g/cm²,转速30–60 rpm,,可将损伤层进一步降低,并达到表面粗糙度Ra ≤10nm

Step4细抛阶段:以Step3为基础,更换氧化铝抛光液(粒径0.2-1μm)为抛光浆料,最终表面Ra≤0.5nm


案例配套主机与耗材:GNAD-E系列磨抛一体机、刻槽铸铁研磨盘、不锈钢抛光盘、AMS系列粘片机、金刚石研磨液、氧化铝研磨粉和发泡聚氨酯抛光垫


客户反馈:工艺路线科学使用、设备运行过程稳定,大幅度提高了材料研发效率。


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