砷化镓晶圆研磨抛光解决方案
客户样品初始状态:
材料:砷化镓;尺寸:4寸;形状:圆形;厚度:600um;粗糙度:500nm;TTV:8um
加工后指标要求:
厚度:80±5um;粗糙度:≤3nm;TTV:≤4um;无划痕及损伤
工艺解析:
Step1研磨阶段:使用我司GNAD-T系列设备,配备刻槽玻璃研磨盘,研磨压力60–80 g/cm²,转速20–50 rpm,以氧化铝粉(粒径3–10μm)为研磨浆料,可快速去除晶圆厚度,达到快速厚度去除目标
Step2粗抛阶段:使用我司GNAD-T系列设备,配备不锈钢抛光盘结合软质抛光垫(如聚氨酯或绒布),采用粒径更小的特制化学氧化铝混合磨料,降低压力至30-60g/cm²,转速30–60 rpm,,可将表面粗糙度降至Ra 2–5 nm
Step3终抛处理:以Step2为基础,更换硅溶胶抛光液,进一步抛光至粗糙度<1nm
案例配套主机与耗材:GNAD-T磨抛一体机、AMS系列粘片机、氧化铝研磨粉、化学抛光液、硅溶胶抛光液和聚氨酯抛光垫等
客户反馈:选用我司配套机台及耗材,可批量稳定实现要求指标,并能够逐步优化工艺提升指标。